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簡要描述：基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 4片將每個石墨烯膜連續(xù)轉移到晶片上我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制該產品的石墨烯覆蓋率約為98％石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機殘留物每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）由于沒有A-B堆疊
更新時間：2024-06-04產品型號： 廠商性質：生產廠家訪 問 量：733詳細介紹
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片
將每個石墨烯膜連續(xù)轉移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
該產品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機殘留物
每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機取向。
薄層電阻：215-700Ω/平方
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
應用：
石墨烯電子和晶體管
導電涂料
航空航天工業(yè)應用
支持金屬催化劑
微執(zhí)行器
MEMS和NEMS
化學和生物傳感器
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