咨詢熱線

13651969369

當前位置：首頁   >  產(chǎn)品中心  >  二維材料  >  硒化物晶體  >  SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide)

SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide)

簡要描述：In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.

  • 更新時間：2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量：635

詳細介紹

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics


產(chǎn)品咨詢

留言框

  • 產(chǎn)品：

  • 您的單位：

  • 您的姓名：

  • 聯(lián)系電話：

  • 常用郵箱：

  • 省份：

  • 詳細地址：

  • 補充說明：

  • 驗證碼：

    請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯數(shù)字），如：三加四=7

泰州巨納新能源有限公司
  • 聯(lián)系人：陳谷一
  • 地址：江蘇省泰州市鳳凰西路168號
  • 郵箱：taizhou@sunano.com.cn
  • 電話：021-56830191
聯(lián)系我們

掃一掃以下二維碼了解更多信息

銷售微信咨詢

網(wǎng)站二維碼

版權(quán)所有©2024泰州巨納新能源有限公司All Rights Reserved    備案號：蘇ICP備17000059號-2    sitemap.xml    總訪問量：61342
管理登陸    技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)