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  • 基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

    基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜 將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 8片 將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98% 石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機(jī)殘留物 每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層(超過95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層) 由于沒有A-B堆疊

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:7140.25
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):859
  • 德國2DNext大面積機(jī)械剝離2L/3L材料

    德國2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料,可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù),如二氧化硅,藍(lán)寶石,CVD金剛石等,可用材料包括MoS2,MoSe2,WS2,WSe2等,提供三種尺寸的機(jī)械剝離2L/3L材料,分別為50um,75um,100um

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:13520
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):787
  • CVD GaSe

    Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:6481.15
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):802
  • 超高純 ZrS2粉末(1g)

    超高純 ZrS2粉末(1g) 純度:99.9999% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純 單質(zhì)高真空密封燒結(jié) 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:2000
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1141
  • 高純 ZrSe2粉末(1g)

    高純 ZrSe2粉末(1g) 純度:99.9995% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié) 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:1000
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1025
  • 超高純 ZrSe2粉末(1g)

    超高純 ZrSe2粉末(1g) 純度:99.9999% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純 單質(zhì)高真空密封燒結(jié) 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時(shí)間:2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格:2000
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1007
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